|
|
|
Silicon Power SP256MBLDU266L02
|
|
Все технические характеристики |
Дополнительно |
Количество чипов каждого модуля
|
4, односторонняя упаковка |
Напряжение питания
|
2.5 В |
Общие характеристики |
Буферизованная (Registered)
|
нет |
Низкопрофильная (Low Profile)
|
нет |
Объем
|
1 модуль 256 Мб |
Поддержка ECC
|
нет |
Пропускная способность
|
2100 Мб/с |
Тактовая частота
|
266 МГц |
Тип памяти
|
DDR |
Форм-фактор
|
DIMM 184-контактный |
Тайминги |
CAS Latency (CL)
|
2.5 |
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
3 |
Row Precharge Delay (tRP)
|
3 |
|
Внимание: характеристики товара, комплект поставки и внешний вид могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Будем благодарны Вам за информацию о неточностях в описании товаров. |
|
|
|
|
Ваш комментарий |
|
|
|
|
|
|