|
|
|
Samsung DDR2 533 SO-DIMM 256Mb
|
|
Все технические характеристики |
Дополнительно |
Количество ранков
|
1 |
Количество чипов каждого модуля
|
4, односторонняя упаковка |
Напряжение питания
|
1.8 В |
Общие характеристики |
Буферизованная (Registered)
|
нет |
Низкопрофильная (Low Profile)
|
нет |
Объем
|
1 модуль 256 Мб |
Поддержка ECC
|
нет |
Пропускная способность
|
4200 Мб/с |
Тактовая частота
|
533 МГц |
Тип памяти
|
DDR2 |
Форм-фактор
|
SODIMM 200-контактный |
Тайминги |
CAS Latency (CL)
|
4 |
|
Внимание: характеристики товара, комплект поставки и внешний вид могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Будем благодарны Вам за информацию о неточностях в описании товаров. |
|
|
|
|
Ваш комментарий |
|
|
Error: Incorrect password!
Error: Incorrect password!
|
|
|
|